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总的来说,静电不受人们欢迎,不过也有被利用的一面,比如静电除尘,静电净化空气等。当两个充电的物体特别近或积累电荷越多时,这种电荷就会释放而产生火花,这个现象叫做静电释放,英文称ESD。ESD是我们讨厌的东西,其实,它还是我们电路板上的晶体管和集成电路受损的主要因素之一。静电不能被消除,然而我们却可以防,我们可以在电子厂里面看到,生产线上的工作人员都是吹着离子风机,手上配带着静电手环的,静电手环一端连接着地线,如有静电产生会延着静电手环释放给大地母亲,这是防止静电释放产生的电流会击穿电子元器件而使用的措施。
什么是ESD?ESD基本知识
ESD全称是Electro-Static discharge,其中文意思是“静电放电”。是指具有不同静电荷电位的物体相
互靠近或直接接触引起的电荷转移。简单说就是电荷瞬间从一个物体移到另一个物体上,形成一个电荷
转移的过程的现象,即具有不同静电电势(电位差)的物体或表面之间的静电电荷转移,就是静电放电
。在EMC领域我们习惯上称之为静电放电抗扰度试验,具体可参阅国际标准IEC-61000-4-2/GBT 17626.2
。其中分接触放电和电磁场击穿介质放电。
ESD静电放电模型:
(1)HBM 人体放电模型(Human-Body Model, HBM)
人体模型(Human Body Model - HBM),HMB是ESD模型中建立早和主要的模型之一。
HBM是传统的测试模式,定义在工业标准 (MIL-STD-883x)中。人体上带电,特别在干燥的冬天,常会接触如门把手时便会有被电到的感觉。这是人体活动的结果,静电荷积聚在人体上,当我们去接触芯片时,人体上的静电就经由IC的pin脚进入芯片内部,然后经由IC放电到地。(不只在接触PIN时才会发生,因为封装IC的表面就存在静电荷,接触包装表面也会发生。)放电过程在瞬间发生,大概几纳秒内将IC组件烧毁。
(2)MM 机器放电模型 (Machine Model, MM)
机器放电模式,也就是将人体换成了机器设备,主体部分的改变,使得测试模式的改变。在这情况下,指静电电荷积累在机器设备上,当接触到IC进对芯片放电,并因此毁坏了电路。机器放电模式,工业标准EIAJ-IC-121 method20。MM测试电路与HBM相似,数值改变如,电容值为200pf,充电电压500V,充电电阻100Mohms,放电部分加>500nH电感(电感量与电流无关,感抗XL=2πfL,f为频率)。因为绝大部分机器是金属的,等效电阻较小,导致瞬时放电电流巨大(几安培)。机器模型因在日本得到广泛应用,也叫日本模型。与家具模型不同的是它主要由200pf电容串非常低的电阻(<10Ω)代替通常串联的电阻构成。机器模型的典型代表如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似,不同的是带电电容较大。典型的机器模型对小电阻(<10Ω)放电的波形, 峰值电流可达几百安培,持续时间(决定于放电通路的电感)为几百纳。
(3)CDM 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM)
这种模式下,电荷积聚在IC本身,可能是因为与PIN摩擦,或者是接触到其他物体的静电电荷,使本身带电。再通过直接接地或间接接地进行放电,而形成的一种放电现象。此类现象的模拟十分困难,是因为导致放电的组件差异所造成的。这种现象表明IC可能在生产过程中受损,比如IC在传输过程中带电,在安装到电路板上时接地而损坏。有时也可能在测试过程中受到损坏。CDM等效电路因情况的不同而多种多样。因为封装很小,所以电容和电感值都很小,大约5pf和10nH。CDM的放电时间很短,电流能在1ns时间内冲到15安培的高峰,因此这种现象更*对IC造成损伤。CDM与HBM没有相互关连性,成功的CDM测试不能预示器件用HBM会发生什么情况!
(4)其它FIM/IEC/E- 电磁场感应模式 (Field-Induced Model, FIM)
此类模式与CDM相似,只是IC带电方式不同。这种模式是IC在电场环境中,因感应而使本身带电,放电模式与CDM类拟。这种模式工业标准(JESD22-C101),详情请阅读相关标准。
同性电荷相斥,电荷相吸,并且导体上的电荷是可移动的,而绝缘体上的电荷是不可移动的,这就
意味着绝缘体上的电荷是不能通过接地来中和的。
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